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                  		最新專利技術(shù)
                  	
                  
          
                
          
                
          
                    
            
					
						
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								      本發(fā)明總體涉及一種用于半導(dǎo)體器件的邊緣鈍化的載體，并且更具體地，涉及一種用于接收多個晶片或半導(dǎo)體器件的堆疊的存儲插入件、一種用于多個這種存儲插入件的載體以及一種用于裝載這種載體的方法。
								
            
							
            
							
						
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								      一種基板收納容器(1)，在一對側(cè)壁(26)的外表面分別設(shè)置有支承容器主體(2)的操作構(gòu)件(261)，操作構(gòu)件(261)包括：前后方向延伸部(2611、2612)，分別在上下方向(D2)上設(shè)置成一對并在前后方向(D1)上延伸；以及前部連接部(...
								
            
							
            
							
						
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								      一種基板收納容器(1)，具備形成有基板收納空間(27)的容器主體(2)和可封閉容器主體開口部(21)的蓋體(3)，并具有支承固定于下壁(24)的槽構(gòu)件(245)，所述槽構(gòu)件(245)具有：槽形成部(2451)，形成有朝向下方開口的槽；以及被...
								
            
							
            
							
						
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								      公開基板結(jié)構(gòu)體的激光熱處理方法及應(yīng)用其的電子器件制備方法。所公開的基板結(jié)構(gòu)體的激光熱處理方法通過向能夠劃分為多個單位區(qū)域的基板結(jié)構(gòu)體的一面部照射激光束來執(zhí)行對所述基板結(jié)構(gòu)體的熱處理，所述激光熱處理方法可包括如下步驟：執(zhí)行對所述基板結(jié)構(gòu)體的第...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種低溫燒結(jié)性接合用材料，其在用于燒結(jié)接合的情況下，能夠在低溫下進行燒結(jié)，能夠得到可靠性高的接合結(jié)構(gòu)體，并且準備簡易。一個實施方式的低溫燒結(jié)性接合用材料包含銀粒子及硅粒子，上述硅粒子表面的超過50%由硅原子構(gòu)成。另外，另一個實施方...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供提高硅氮化物膜相對于掩模的蝕刻選擇比的技術(shù)。蝕刻方法包括：(a)將包含層疊膜、層疊膜上的含有硅和氮的單層膜、以及單層膜上的掩模的基片，提供到腔室內(nèi)的基片支承部上的步驟，其中，層疊膜包含兩種以上不同的含硅膜，掩模具有規(guī)定至少一個開口...
								
            
							
            
							
						
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								      等離子體處理裝置包括：腔室；基片支承部，其配置在腔室內(nèi)，用于支承包含含硅膜的基片；氣體供給部，其能夠向腔室內(nèi)供給包含氟化氫氣體的處理氣體；和等離子體生成部，其能夠從處理氣體生成等離子體，腔室或配置在腔室內(nèi)的內(nèi)部部件中的至少一者含有磷。
								
            
							
            
							
						
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								      提供一種能夠高效地加熱包含n型SiC半導(dǎo)體的被處理體的光加熱方法。具有對包含n型SiC半導(dǎo)體的被處理體經(jīng)由窗部件照射從具備紅外光燈的光源部射出的色溫為2, 200K~2, 600K的范圍內(nèi)的加熱光而對所述被處理體進行加熱的工序(a)。
								
            
							
            
							
						
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								      所公開的示例涉及使用ALD沉積處理的抑制劑來以介電間隙填充材料填充溝槽特征。一個示例提供了一種處理包括深溝槽特征的襯底的方法。深溝槽特征包括具有內(nèi)凹特征的多晶硅表面。方法包括執(zhí)行抑制循環(huán)，抑制循環(huán)包括在襯底上沉積抑制劑，沉積條件為在溝槽特征...
								
            
							
            
							
						
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								      描述了在基材上生長二維(2D)材料的方法，所述方法包括：(a)在基材上形成掩模層；(b)在所述掩模層中形成溝槽，所述溝槽具有在掩模層中形成的側(cè)壁，所述側(cè)壁包圍所述基材的暴露部分；和(c)在所述基材的暴露部分上沉積2D材料的核，并使所述核生長...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種用于制備材料，特別是生物材料，以將其轉(zhuǎn)移到質(zhì)譜儀中的接口(1)，其中所述材料為氣溶膠形式，所述接口包含用于產(chǎn)生電離的霧氣的電離裝置(2)，和具有材料入口和霧氣入口的電離室(3)，從而在混合區(qū)使所述材料與所述電離的霧氣接觸，其中...
								
            
							
            
							
						
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								      根據(jù)本發(fā)明一示例性實施例的電容耦合等離子體基板處理設(shè)備包含：腔室，包含供基板安裝的基板支撐件；上電極，設(shè)置于腔室內(nèi)的上部以噴射氣體并產(chǎn)生電容耦合等離子體；多個射頻桿，用以在多個位置將射頻功率供應(yīng)至上電極；射頻功率分配單元，用以將射頻功率分配...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開是使用成形脈沖偏壓產(chǎn)生任意形狀的離子能量分布函數(shù)的系統(tǒng)和方法。在一個實施例中，一種方法包括：向處理腔室的電極施加負跳變電壓來為晶片設(shè)定晶片電壓，調(diào)制所述晶片電壓的振幅以產(chǎn)生具有不同振幅的脈沖串組序列，以及重復(fù)調(diào)制所述晶片電壓的所述振幅...
								
            
							
            
							
						
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								      一種氣密密封的電氣裝置，該電氣裝置包括殼體和頂部組件。頂部組件包括觸點端子、饋通件和/或延伸穿過蓋板的管。玻璃?金屬密封部和/或釬焊接頭用于將觸點端子、饋通件和/或管密封到蓋板，使得不再需要陶瓷頂部。蓋板可以電阻焊接到下殼體或罐。
								
            
							
            
							
						
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								      切斷裝置(4)具備探測單元(1)和切斷單元(2)。切斷單元(2)與探測單元(1)電連接。探測單元(1)具有芯(10)、線圈(11)以及全波整流電路(12)。芯(10)由磁性體形成。線圈(11)卷繞于芯(10)。全波整流電路(12)與線圈(1...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種外殼接地高壓斷路器(1)，該外殼接地高壓斷路器具有殼體(2)和在該殼體(2)上的用于電導(dǎo)體(4)的至少一個套管(3)以及至少一個電極(5)，該至少一個電極用于相對于殼體(2)對電導(dǎo)體(4)進行屏蔽。該至少一個電極(5)處于浮動...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明的目的是有效抑制在通電狀態(tài)下作用于可動元件和固定元件之間的電磁斥力。本公開一個方面的一種接觸機構(gòu)(1)包括第一固定元件(10)、第二固定元件(20)以及可動元件(30)。第一固定元件(10)包括勵磁部分(12)，而勵磁部分(12)包括...
								
            
							
            
							
						
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								      一種電容器，其具備包含多個孔的多孔體和導(dǎo)電體。多孔體包含具有導(dǎo)電性的基材、配置在基材上的第一電介質(zhì)層、以及配置在基材上的第二電介質(zhì)層。導(dǎo)電體配置在第一電介質(zhì)層以及第二電介質(zhì)層上。在多孔體中第一電介質(zhì)層配置在包含多孔體與多孔體的外部之間的邊界...
								
            
							
            
							
						
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								      提供可靠性進一步提高了的層疊陶瓷電容器。在層疊陶瓷電容器(1)中，外部電極(25)包含作為玻璃的鋇?硼?硅系玻璃或者鍶?硼?硅系玻璃或者鋇?鍶?硼?硅系玻璃的至少一者、以及銅，在外部電極(25)的表面(58)，露出玻璃以及銅，在外部電極(2...
								
            
							
            
							
						
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								      一種線圈導(dǎo)體附接系統(tǒng)，包括端接條、從該端接條延伸的線圈端部接收筒、將筒附接到端接條的連接器、具有至少部分地布置在筒內(nèi)的導(dǎo)體端部的導(dǎo)體、以及線圈端部接收筒的壓接部分，該壓接部分與布置在其中的導(dǎo)體端部形成機械與電氣連接。在另一方面，線圈繞組端接...
								
            
							
            
							
						
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