江蘇氫芯動(dòng)力科技有限公司馬孝楠獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型公開了一種氫燃料電池多級(jí)余熱回收控制系統(tǒng)，包括：用于氫燃料電池電堆散熱的主散熱回路、用于氫燃料電池中電氣部件散熱的輔助散熱回路以及多級(jí)溫差發(fā)...

2025-12-22來源：龍圖騰網(wǎng)

四川雙河創(chuàng)啟氫能科技有限公司向丹丹獲國家專利權(quán)

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N空冷電堆及燃料電池。空冷電堆包括支撐組件、反應(yīng)組件及風(fēng)扇，支撐組件包括相對(duì)設(shè)置的第一支撐板和第二支撐板，第一支撐板和第二支撐板之間形成容...

2025-12-22來源：龍圖騰網(wǎng)

浙江柔震科技有限公司呂存山獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型公開了一種復(fù)合集流體、儲(chǔ)能裝置，屬于集流體技術(shù)領(lǐng)域，復(fù)合支撐層，復(fù)合支撐層包括導(dǎo)電網(wǎng)層和填充在導(dǎo)電網(wǎng)層孔隙中的填充層；以及，導(dǎo)電層，設(shè)置在復(fù)...

2025-12-22來源：龍圖騰網(wǎng)

浙江鋰威能源科技有限公司黃麗珍獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型提出一種復(fù)合集流體及電池，涉及電池技術(shù)領(lǐng)域，包括支撐層和金屬層。支撐層由具有孔隙的聚合物泡沫制成，所述復(fù)合集流體具有設(shè)定的厚度，在所述復(fù)合集...

2025-12-22來源：龍圖騰網(wǎng)

浙江鋰威能源科技有限公司張輝獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型公開了一種集流體，并公開了卷繞式電芯，其中集流體包括集流體本體，沿集流體本體的厚度方向，集流體本體具有相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面，第一表面...

2025-12-22來源：龍圖騰網(wǎng)

深圳勁嘉聚能科技有限公司于欽芳獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型提供的一種粘結(jié)強(qiáng)度高的復(fù)合集流體，包括支撐層和金屬層，所述金屬層設(shè)置于所述支撐層的表面上，所述金屬層的顆粒平均粒徑為X，所述金屬層的面密度為...

2025-12-22來源：龍圖騰網(wǎng)

浙江鋰威能源科技有限公司陸行獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型公開了一種負(fù)極片及電池。本實(shí)用新型的負(fù)極片，包括集流體、負(fù)極耳以及活性物質(zhì)層。集流體包括第一端和第二端。負(fù)極耳設(shè)置在第二端。活性物質(zhì)層涂布在...

2025-12-22來源：龍圖騰網(wǎng)

浙江鋰威能源科技有限公司劉紅根獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型公開了一種陰極片、電芯及電池，陰極片包括基材層和活性物質(zhì)層。基材層包括中間層、外表層、內(nèi)表層和凸起結(jié)構(gòu)，中間層夾設(shè)于外表層和內(nèi)表層之間，凸起...

2025-12-22來源：龍圖騰網(wǎng)

上海軒邑新能源發(fā)展有限公司王震獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型涉及鋰電池生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種電芯極片，其特征在于，包括極耳區(qū)和涂膜區(qū)，以及設(shè)置在所述極耳區(qū)和所述涂膜區(qū)之間，延所述極片長(zhǎng)度方向延伸的...

2025-12-22來源：龍圖騰網(wǎng)

浙江鋰威能源科技有限公司施揚(yáng)揚(yáng)獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型屬于電池技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種電芯極片、電芯及二次電池；其中，所述電芯極片包括集流體以及設(shè)置于所述集流體上至少一表面的活性材料層；所述活性材...

2025-12-22來源：龍圖騰網(wǎng)

浙江鋰威能源科技有限公司李先清獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型公開了一種正極片、電芯及電池，涉及新能源電池技術(shù)領(lǐng)域。本實(shí)用新型的正極片包括：集流體和涂布層，所述涂布層形成于所述集流體沿其厚度方向的至少一...

2025-12-22來源：龍圖騰網(wǎng)

浙江鋰威能源科技有限公司張輝獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型公開了一種極片、電芯以及電池，其中，極片沿自身寬度方向具有相對(duì)的第一側(cè)和第二側(cè)，第一側(cè)的邊緣用于安裝極耳，極片形成有涂布區(qū)，涂布區(qū)于第一側(cè)的...

2025-12-22來源：龍圖騰網(wǎng)

浙江鋰威能源科技有限公司張萌獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型公開了一種電芯以及電池，涉及電池技術(shù)領(lǐng)域，其中電芯包括正極片、負(fù)極片和隔膜，正極片的厚度方向的兩側(cè)的表面分別形成有第一儲(chǔ)液槽，負(fù)極片的厚度方...

2025-12-22來源：龍圖騰網(wǎng)

浙江鋰威能源科技有限公司鄧軍陽獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型公開了一種極片、一種電芯及一種鋰電池，一種極片包括極片主體，極片主體包括兩塊集流體和連接兩塊集流體的極片連接片，每塊集流體的表面設(shè)置有活性物...

2025-12-22來源：龍圖騰網(wǎng)

浙江鋰威能源科技有限公司張義品獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型提供了一種正極片及其電芯和鋰離子電池，所述正極片包括正極集流體；設(shè)置于正極集流體至少一個(gè)表面的底涂層；以及設(shè)置于底涂層表面的正極活性材料層；...

2025-12-22來源：龍圖騰網(wǎng)

浙江鋰威能源科技有限公司請(qǐng)求不公布姓名獲國家專利權(quán)

本申請(qǐng)公開了一種正極極片、電芯及鋰離子電池，屬于電池技術(shù)領(lǐng)域。所述正極極片在第二正極活性材料層設(shè)置N個(gè)減薄區(qū)，N為大于2的正整數(shù)，在減薄區(qū)設(shè)置吸液層；...

2025-12-22來源：龍圖騰網(wǎng)

浙江鋰威能源科技有限公司張津銘獲國家專利權(quán)

本申請(qǐng)公開了一種陽極片、電芯及電池，涉及鋰電池技術(shù)領(lǐng)域，陽極片本體設(shè)有多個(gè)間隔設(shè)置的非拐角打孔區(qū)域和多個(gè)間隔設(shè)置的非拐角打孔區(qū)域，拐角打孔區(qū)域設(shè)有多個(gè)...

2025-12-22來源：龍圖騰網(wǎng)

浙江鋰威能源科技有限公司宋杰芳獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型公開了一種極片組件及電池，極片組件包括：極片，包括活性物質(zhì)層和箔材，所述箔材包括空箔區(qū)和涂布區(qū)，所述活性物質(zhì)層連接于所述涂布區(qū)，所述空箔區(qū)包...

2025-12-22來源：龍圖騰網(wǎng)

臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司范峻勝獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型提供一種具有凹陷部分的重分布層結(jié)構(gòu)的封裝結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體封裝。所述封裝結(jié)構(gòu)包括：前側(cè)重分布層(RDL)結(jié)構(gòu)，包括凹陷部分；下封裝體層，位在前側(cè)R...

2025-12-22來源：龍圖騰網(wǎng)

賽爾特安(無錫)電子有限公司葉鋒獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型公開了一種過溫過電壓復(fù)合型保護(hù)器件，包括第一金屬片和第二金屬片，所述第一金屬片和所述第二金屬片之間設(shè)置陶瓷片，所述陶瓷片內(nèi)部設(shè)置保險(xiǎn)絲，所述...

2025-12-22來源：龍圖騰網(wǎng)

南通木之湘科技有限公司黃雷獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型公開了一種防固晶銀膠短路的芯片結(jié)構(gòu)，包括底板、散熱機(jī)構(gòu)以及封裝機(jī)構(gòu)，基底層采用硅基底，可提供芯片的支撐和電氣連接，導(dǎo)線層在基底層上制作導(dǎo)線電...

2025-12-22來源：龍圖騰網(wǎng)

芯聯(lián)集成電路制造股份有限公司鐘志鴻獲國家專利權(quán)

一種用于高邊開關(guān)器件的測(cè)試結(jié)構(gòu)，高邊開關(guān)器件包括襯底以及位于襯底上且間隔設(shè)置的屏蔽柵溝槽器件和雙極互補(bǔ)金屬氧化器件，其中，屏蔽柵溝槽器件的柵極和雙極互...

2025-12-22來源：龍圖騰網(wǎng)

四川遂寧市利普芯微電子有限公司王玨獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型提供一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，涉及集成電路封裝領(lǐng)域。包括芯片、塑封體、框架，框架上具有呈陣列分布的多個(gè)引腳，芯片貼覆于框架的上表面，芯片的焊點(diǎn)分別通...

2025-12-22來源：龍圖騰網(wǎng)

甬矽電子(寧波)股份有限公司符鎮(zhèn)濤獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型公開了一種框架結(jié)構(gòu)，包括多個(gè)封裝體，封裝體包括基島以及設(shè)置在基島上的芯片；在任意相鄰兩個(gè)封裝體之間設(shè)置有切割道連筋，切割道連筋上設(shè)置有多個(gè)第...

2025-12-22來源：龍圖騰網(wǎng)

甬矽電子(寧波)股份有限公司符鎮(zhèn)濤獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型公開了一種半導(dǎo)體芯片的框架結(jié)構(gòu)，包括多個(gè)封裝體，所述封裝體包括：基島，用以承載芯片；所述基島的外圈設(shè)有多個(gè)首尾相連的引腳連筋，所述引腳連筋的...

2025-12-22來源：龍圖騰網(wǎng)

深圳市希普仕科技有限公司吳江鵬獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型公開了一種無引腳型半導(dǎo)體引線框架，包括框架主體，所述框架主體的內(nèi)部設(shè)置有陣列分布的多個(gè)基板，多個(gè)所述基板的內(nèi)部均固定連接有環(huán)形分布的多個(gè)連接...

2025-12-22來源：龍圖騰網(wǎng)

上海鼎陽通半導(dǎo)體科技有限公司鄒強(qiáng)獲國家專利權(quán)

本申請(qǐng)實(shí)施例涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種功率模塊。該功率模塊包括基板、芯片以及金屬片。芯片，設(shè)置在基板上，并與基板電連接；金屬片，設(shè)置在芯片的正面，...

2025-12-22來源：龍圖騰網(wǎng)

沈陽飛達(dá)電子有限公司李家奇獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型涉及小型表貼晶體管相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，具體是一種小型表貼晶體管, 包括封裝本體、引腳安裝板和引腳以及固定組件，所述封裝本體上的安裝處設(shè)置有引腳安裝...

2025-12-22來源：龍圖騰網(wǎng)

華東科技股份有限公司于鴻祺獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型公開一種扇出型晶圓級(jí)封裝單元，包括一載板、一第一介電層、多條第一導(dǎo)接線路、至少一第一裸晶(Die)、一第二介電層、至少一導(dǎo)電柱、多條第二導(dǎo)接...

2025-12-22來源：龍圖騰網(wǎng)

華東科技股份有限公司于鴻祺獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型提供一種改良的晶片封裝的重布線路結(jié)構(gòu)，該晶片封裝包含晶片、多條重布線路及多條鎳金層，各該重布線路是利用重布線層制程水平方向延伸地成型在該晶片...

2025-12-22來源：龍圖騰網(wǎng)

中國電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所夏馬力獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型屬于硅基扇出型封裝結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種基于高散熱金屬漿料的封裝結(jié)構(gòu)。包括樹脂基體和高散熱金屬層；所述樹脂基體的背面設(shè)有所述高散熱金屬層...

2025-12-22來源：龍圖騰網(wǎng)

上海海姆希科半導(dǎo)體有限公司王雄東獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型提供一種局部增強(qiáng)換熱能力的散熱器及包含其的功率模塊。所述散熱器：殼體的內(nèi)部空間劃分為頂端開口的主腔室以及與其連通的冷卻液流入通道和冷卻液流出...

2025-12-22來源：龍圖騰網(wǎng)

合肥鈞聯(lián)汽車電子有限公司呂燦君獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型公開了一種SIC單面半橋模塊。其中，包括：基板，所述基板一端分布有若干芯片，所述基板另一端固設(shè)有散熱板，所述散熱板內(nèi)間隔分布有若干散熱支柱，...

2025-12-22來源：龍圖騰網(wǎng)

華東科技股份有限公司于鴻祺獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型公開一種扇出型晶圓級(jí)封裝單元及其所堆疊組成的封裝，該扇出型晶圓級(jí)封裝單元包含載板、至少一裸晶、第一介電層、至少一第二導(dǎo)電柱、第二介電層、多條...

2025-12-22來源：龍圖騰網(wǎng)

華東科技股份有限公司于鴻祺獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型公開一種扇出型晶圓級(jí)封裝單元，包括載板、至少一裸晶、第一介電層、至少一導(dǎo)電柱、第二介電層、多條第一導(dǎo)接線路、第一外護(hù)層、第三介電層、多條第二...

2025-12-22來源：龍圖騰網(wǎng)

杭州東沃電子科技有限公司朱世良獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型公開了一種具有防護(hù)機(jī)構(gòu)的半導(dǎo)體放電管，包括半導(dǎo)體放電管本體，所述半導(dǎo)體放電管本體的兩側(cè)均設(shè)置有引線，所述半導(dǎo)體放電管本體的兩側(cè)均固定安裝有定...

2025-12-22來源：龍圖騰網(wǎng)

矽電半導(dǎo)體設(shè)備(深圳)股份有限公司林生財(cái)獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型公開了一種載片裝置，載片裝置用于承載芯片。載片裝置包括基體、活動(dòng)組件、檢測(cè)組件、清潔組件以及導(dǎo)氣組件。基體具有用于承載芯片的承載部。活動(dòng)組件...

2025-12-22來源：龍圖騰網(wǎng)

寧波芯健半導(dǎo)體有限公司李曉清獲國家專利權(quán)

本申請(qǐng)涉及一種承載基板的載具，屬于半導(dǎo)體加工技術(shù)領(lǐng)域。該所述下載板頂部設(shè)置有供基板放置的放置區(qū)域，所述下載板在所述放置區(qū)域外沿設(shè)置有多個(gè)定位柱，所述下...

2025-12-22來源：龍圖騰網(wǎng)

拉普拉斯新能源科技股份有限公司萬大明獲國家專利權(quán)

本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N槳調(diào)節(jié)裝置以及運(yùn)輸設(shè)備，涉及半導(dǎo)體或光伏材料加工領(lǐng)域，解決了矩形的支撐桿難以調(diào)節(jié)槳結(jié)構(gòu)姿態(tài)的技術(shù)問題。該槳調(diào)節(jié)裝置包括：支撐組件，支撐...

2025-12-22來源：龍圖騰網(wǎng)

上海裕詩實(shí)業(yè)有限公司褚書明獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型公開了一種固定晶圓的卡具，所述卡具包括卡座和卡頭，所述卡座與卡頭連接，所述卡頭包括三部分：帶有坡度的上端頭，具有圓弧形卡槽的中間部，帶有下滑...

2025-12-22來源：龍圖騰網(wǎng)

芯聯(lián)集成電路制造股份有限公司劉賢惠獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型提供一種晶圓承載裝置及半導(dǎo)體加工設(shè)備，所述裝置包括：主體，所述主體內(nèi)具有用于容納晶圓的容納空間，多個(gè)支撐桿，多個(gè)所述支撐桿設(shè)于所述容納空間的...

2025-12-22來源：龍圖騰網(wǎng)

深圳維斯恩自動(dòng)化設(shè)備有限公司陳振賀獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型公開了一種半導(dǎo)體封裝夾持工裝，涉及半導(dǎo)體生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域。包括支座與翻板，翻板的下部通過軸承安裝有轉(zhuǎn)軸，且轉(zhuǎn)軸的另一端通過軸承安裝于支座的側(cè)壁上...

2025-12-22來源：龍圖騰網(wǎng)

深圳市思坦科技有限公司邱成峰獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型提供一種真空平臺(tái)及貼合裝置，涉及半導(dǎo)體加工領(lǐng)域。真空平臺(tái)包括平臺(tái)本體；平臺(tái)本體具有吸附面，吸附面包括多個(gè)吸附區(qū)域，平臺(tái)本體上設(shè)置有吸附孔和真...

2025-12-22來源：龍圖騰網(wǎng)

中山市新益昌自動(dòng)化設(shè)備有限公司胡新平獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型適用于半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種吸嘴結(jié)構(gòu)及固晶機(jī)。上述吸嘴結(jié)構(gòu)包括主套體、工作組件以及彈性件。固晶機(jī)包括上述任一項(xiàng)所述的吸嘴結(jié)構(gòu)。在進(jìn)行...

2025-12-22來源：龍圖騰網(wǎng)

蘇州芯睿科技有限公司楊茂帥獲國家專利權(quán)

本申請(qǐng)屬于晶圓熱解鍵工藝技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種分布吸力吸盤裝置，吸附組件和固定組件，所述吸附組件包括氣管接頭、吸盤通氣管、吸盤，所述固定組件包括直線軸承...

2025-12-22來源：龍圖騰網(wǎng)

合肥鈞聯(lián)汽車電子有限公司劉繼偉獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型公開了一種多用途一出多鍵合工裝。其中，包括：載盤和第一吸附基座，所述載盤可拆卸地蓋設(shè)于第一吸附基座，所述載盤分布有若干用于承載基板的放置槽，...

2025-12-22來源：龍圖騰網(wǎng)

泰州星辰智能裝備有限公司韓杰獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型公開了一種裝片機(jī)用平坦式吸盤，涉及裝片機(jī)技術(shù)領(lǐng)域，包括矩形的吸盤本體，吸盤本體的頂端設(shè)置有與外部負(fù)壓連接的連接口，吸盤本體底端設(shè)置有連接槽，...

2025-12-22來源：龍圖騰網(wǎng)

矽電半導(dǎo)體設(shè)備(深圳)股份有限公司鄭鵬獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型公開了一種晶圓冷卻裝置，包括基座以及承接組件，基座具有一端開口的容納腔，容納腔用于承載冷卻介質(zhì)。承接組件連接于該基座并密封開口，從而避免冷卻...

2025-12-22來源：龍圖騰網(wǎng)

鄭州合晶硅材料有限公司吳泓明獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型公開了一種用于改善離子注入工藝中基板背面損傷的壓板，包括壓板本體，所述壓板本體上設(shè)有緩沖層，所述緩沖層與基板背面的摩擦系數(shù)小于所述壓板本體與...

2025-12-22來源：龍圖騰網(wǎng)

盛合晶微半導(dǎo)體(江陰)有限公司陳犇獲國家專利權(quán)

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N晶圓支架，包括基臺(tái)、旋轉(zhuǎn)臺(tái)、升降臺(tái)和限位器。其中，基臺(tái)設(shè)置有沿豎直方向的通孔。旋轉(zhuǎn)臺(tái)包括旋轉(zhuǎn)基座以及固定設(shè)置于旋轉(zhuǎn)基座上表面的多個(gè)旋轉(zhuǎn)固...

2025-12-22來源：龍圖騰網(wǎng)